العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFN60N60
IXFN60N60
IXFN60N60
رقم القطعة:
IXFN60N60
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16021 Pieces
ورقة البيانات:
IXFN60N60.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFN60N60 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFN60N60 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFN60N60 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 8mA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-227B
سلسلة:HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:75 mOhm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):700W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:SOT-227-4, miniBLOC
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Chassis Mount
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFN60N60
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:15000pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:380nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 60A 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:60A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFN60N60

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
RZR040P01TL Image RZR040P01TL Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3 تحقيق
IRFPF50 Image IRFPF50 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 900V 6.7A TO-247AC تحقيق
IRFI7440GPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 95A تحقيق
IXFN64N50P Image IXFN64N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227 تحقيق
IXFN66N85X Image IXFN66N85X IXYS 850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS تحقيق
AON2408 Image AON2408 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N CH 20V 8A DFN 2x2B تحقيق
BSP135H6327XTSA1 Image BSP135H6327XTSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 تحقيق
IXFN60N80P Image IXFN60N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B تحقيق
IXFN64N50PD2 Image IXFN64N50PD2 IXYS MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B تحقيق
DMP2130LDM-7 Image DMP2130LDM-7 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26 تحقيق
IXFN64N50PD3 Image IXFN64N50PD3 IXYS MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B تحقيق
JANTX2N7224U Microsemi Corporation MOSFET N-CH 100V 34A تحقيق
IXFN66N50Q2 Image IXFN66N50Q2 IXYS MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B تحقيق
IXFN62N80Q3 Image IXFN62N80Q3 IXYS MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227 تحقيق
NTMFS4922NET1G Image NTMFS4922NET1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 147A SO8-FL تحقيق
IRF5305PBF Image IRF5305PBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 31A TO-220AB تحقيق
IRFR9310 Image IRFR9310 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK تحقيق
CXDM1002N TR Image CXDM1002N TR Central Semiconductor Corp MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89 تحقيق
IXFN64N60P Image IXFN64N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 تحقيق

Latest الأخبار