العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFN66N50Q2
IXFN66N50Q2
IXFN66N50Q2
رقم القطعة:
IXFN66N50Q2
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13330 Pieces
ورقة البيانات:
IXFN66N50Q2.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFN66N50Q2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFN66N50Q2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFN66N50Q2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 8mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-227B
سلسلة:HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:80 mOhm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):735W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:SOT-227-4, miniBLOC
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Chassis Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IXFN66N50Q2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:6800pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:199nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 500V 66A 735W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):500V
وصف:MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:66A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFN66N50Q2

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXFN64N60P Image IXFN64N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 تحقيق
NTMS4503NR2G ON Semiconductor MOSFET N-CH 28V 9A 8-SOIC تحقيق
IXFN64N50P Image IXFN64N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227 تحقيق
FDPF390N15A Image FDPF390N15A Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 150V 15A TO-220F تحقيق
FQPF12P10 Image FQPF12P10 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 100V 8.2A TO-220F تحقيق
IXFN64N50PD3 Image IXFN64N50PD3 IXYS MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B تحقيق
SPI11N60C3XKSA1 Image SPI11N60C3XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 تحقيق
NVD3055-150T4G-VF01 Image NVD3055-150T4G-VF01 ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 9A DPAK تحقيق
NTD25P03L1 Image NTD25P03L1 ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 25A IPAK تحقيق
IXFN62N80Q3 Image IXFN62N80Q3 IXYS MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227 تحقيق
TK10A60W,S4VX Image TK10A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS تحقيق
IXFN64N50PD2 Image IXFN64N50PD2 IXYS MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B تحقيق
IXFN60N60 Image IXFN60N60 IXYS MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B تحقيق
IXFN66N85X Image IXFN66N85X IXYS 850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS تحقيق
IRFSL9N60ATRR Image IRFSL9N60ATRR Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262 تحقيق
IRFS3507 Image IRFS3507 Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK تحقيق
IXFN60N80P Image IXFN60N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B تحقيق
TK25A60X5,S5X Image TK25A60X5,S5X Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS تحقيق
TK4A50D(STA4,Q,M) Image TK4A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 500V 4A TO-220SIS تحقيق

Latest الأخبار