العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFN66N85X
IXFN66N85X
IXFN66N85X
رقم القطعة:
IXFN66N85X
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13109 Pieces
ورقة البيانات:
IXFN66N85X.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFN66N85X ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFN66N85X عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFN66N85X مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5.5V @ 8mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-227
سلسلة:HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:65 mOhm @ 33A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):830W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:SOT-227-4, miniBLOC
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Chassis Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFN66N85X
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:8900pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:230nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 850V 65A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):850V
وصف:850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:65A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFN66N85X

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXFN64N60P Image IXFN64N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 تحقيق
IXFN64N50PD3 Image IXFN64N50PD3 IXYS MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B تحقيق
CSD16322Q5 Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 5X6 8SON تحقيق
IRLL3303TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 تحقيق
RQ1A060ZPTR Image RQ1A060ZPTR Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8 تحقيق
APT41M80B2 Image APT41M80B2 Microsemi Corporation MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX تحقيق
IRC830PBF Image IRC830PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220-5 تحقيق
IPB13N03LB Image IPB13N03LB Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK تحقيق
IPB65R310CFDAATMA1 Image IPB65R310CFDAATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3 تحقيق
IXFN62N80Q3 Image IXFN62N80Q3 IXYS MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227 تحقيق
IXFN60N80P Image IXFN60N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B تحقيق
IXFN64N50P Image IXFN64N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227 تحقيق
IPD12CN10NGBUMA1 Image IPD12CN10NGBUMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3 تحقيق
IXFN66N50Q2 Image IXFN66N50Q2 IXYS MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B تحقيق
FCP16N60 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 16A TO-220 تحقيق
SSM3J120TU,LF Image SSM3J120TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 20V 4A UFM تحقيق
IRF3704ZCS Image IRF3704ZCS Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK تحقيق
IXFN60N60 Image IXFN60N60 IXYS MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B تحقيق
IXFN64N50PD2 Image IXFN64N50PD2 IXYS MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B تحقيق

Latest الأخبار