العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFN60N80P
IXFN60N80P
IXFN60N80P
رقم القطعة:
IXFN60N80P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17105 Pieces
ورقة البيانات:
IXFN60N80P.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFN60N80P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFN60N80P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFN60N80P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 8mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-227B
سلسلة:PolarHV™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:140 mOhm @ 30A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):1040W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:SOT-227-4, miniBLOC
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Chassis Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFN60N80P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:18000pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:250nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 800V 53A 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):800V
وصف:MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:53A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFN60N80P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXFN60N60 Image IXFN60N60 IXYS MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B تحقيق
ATP405-TL-HX ON Semiconductor MOSFET N-CH DPAK تحقيق
NDP7050L Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 50V 75A TO-220AB تحقيق
IXFN66N85X Image IXFN66N85X IXYS 850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS تحقيق
IXTK60N50L2 Image IXTK60N50L2 IXYS MOSFET N-CH 500V 60A TO-264 تحقيق
IXFN64N50P Image IXFN64N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227 تحقيق
FQI8P10TU Image FQI8P10TU Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 100V 8A I2PAK تحقيق
IXFN64N50PD3 Image IXFN64N50PD3 IXYS MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B تحقيق
IRF7416QTRPBF Image IRF7416QTRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC تحقيق
APT20M19JVR Image APT20M19JVR Microsemi Corporation MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227 تحقيق
IXFN62N80Q3 Image IXFN62N80Q3 IXYS MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227 تحقيق
IXFN64N50PD2 Image IXFN64N50PD2 IXYS MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B تحقيق
IXFN64N60P Image IXFN64N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 تحقيق
SI4102DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC تحقيق
TPS1100PW Texas Instruments MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP تحقيق
IXTN102N65X2 Image IXTN102N65X2 IXYS MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227 تحقيق
IRF1010ZS Image IRF1010ZS Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK تحقيق
STD13NM60ND Image STD13NM60ND STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 11A DPAK تحقيق
IXFN66N50Q2 Image IXFN66N50Q2 IXYS MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B تحقيق

Latest الأخبار