NE3503M04-A - CEL - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف NE3503M04-A

NE3503M04-A

رقم القطعة:: NE3503M04-A

الصانع:: CEL (California Eastern Laboratories)

وصف:: FET RF 4V 12GHZ M04

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 14140 Pieces

ورقة البيانات:: 1.NE3503M04-A.pdf 2.NE3503M04-A.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NE3503M04-A ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NE3503M04-A عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى NE3503M04-A مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:	2V
الجهد - تقييمه:	4V
نوع الترانزستور:	HFET
تجار الأجهزة حزمة:	M04
سلسلة:	-
مخرج قوي:	-
التعبئة والتغليف:	Bulk
حزمة / كيس:	SOT-343F
اسماء اخرى:	NE3503M04A
الضوضاء الشكل:	0.45dB
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	NE3503M04-A
ربح:	12dB
تردد:	12GHz
وصف موسع:	RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 12dB M04
وصف:	FET RF 4V 12GHZ M04
التصويت الحالي:	70mA
الحالي - اختبار:	10mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لNE3503M04-A

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
NE3509M04-T2-A	CEL	FET RF 4V 2GHZ SOT-343	تحقيق
NE3503M04-T2B-A	CEL	FET RF 4V 12GHZ M04	تحقيق
BF1211R,215	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143R	تحقيق
NE3503M04-T2-A	CEL	FET RF 4V 12GHZ M04	تحقيق
BLF8G22LS-270GVJ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244C	تحقيق
ATF-33143-TR1G	Broadcom Limited	FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343	تحقيق
NE350184C	CEL	FET RF 4V 20GHZ MICRO-X	تحقيق
NE3508M04-T2-A	CEL	FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM	تحقيق
NE3509M04-A	CEL	FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI	تحقيق
BF2030WE6814BTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-343	تحقيق
MRF7S19080HSR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S	تحقيق
MMRF1312GSR5	NXP USA Inc.	TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V	تحقيق
NE3508M04-A	CEL	FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM	تحقيق
BLF8G27LS-150GVQ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار