NE3503M04-T2-A - CEL - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف NE3503M04-T2-A

NE3503M04-T2-A

رقم القطعة:: NE3503M04-T2-A

الصانع:: CEL (California Eastern Laboratories)

وصف:: FET RF 4V 12GHZ M04

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 14561 Pieces

ورقة البيانات:: NE3503M04-T2-A.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NE3503M04-T2-A ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NE3503M04-T2-A عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى NE3503M04-T2-A مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:	2V
الجهد - تقييمه:	4V
نوع الترانزستور:	HFET
تجار الأجهزة حزمة:	M04
سلسلة:	-
مخرج قوي:	-
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	SOT-343F
الضوضاء الشكل:	0.45dB
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	NE3503M04-T2-A
ربح:	12dB
تردد:	12GHz
وصف موسع:	RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 12dB M04
وصف:	FET RF 4V 12GHZ M04
التصويت الحالي:	70mA
الحالي - اختبار:	10mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لNE3503M04-T2-A

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
NE3509M04-T2-A	CEL	FET RF 4V 2GHZ SOT-343	تحقيق
MRF7S18125BHSR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.93GHZ NI780	تحقيق
NE3509M04-A	CEL	FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI	تحقيق
NE3503M04-A	CEL	FET RF 4V 12GHZ M04	تحقيق
NE3503M04-T2B-A	CEL	FET RF 4V 12GHZ M04	تحقيق
MRF8P8300HSR6	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230S	تحقيق
NE350184C	CEL	FET RF 4V 20GHZ MICRO-X	تحقيق
CGH40180PP	Cree/Wolfspeed	FET RF 84V 2.5GHZ 440199	تحقيق
NE3508M04-T2-A	CEL	FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM	تحقيق
BLF6G10LS-260PRN:1	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539B	تحقيق
BLP27M810Z	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN	تحقيق
PD20010TR-E	STMicroelectronics	TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM	تحقيق
MRFG35002N6T1	NXP USA Inc.	FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5	تحقيق
NE3508M04-A	CEL	FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار