NE3503M04-T2B-A - CEL - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف NE3503M04-T2B-A

NE3503M04-T2B-A

رقم القطعة:: NE3503M04-T2B-A

الصانع:: CEL (California Eastern Laboratories)

وصف:: FET RF 4V 12GHZ M04

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 17951 Pieces

ورقة البيانات:: NE3503M04-T2B-A.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NE3503M04-T2B-A ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NE3503M04-T2B-A عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى NE3503M04-T2B-A مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:	2V
الجهد - تقييمه:	4V
نوع الترانزستور:	HFET
تجار الأجهزة حزمة:	M04
سلسلة:	-
مخرج قوي:	-
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	4-SMD, Flat Leads
الضوضاء الشكل:	0.45dB
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	NE3503M04-T2B-A
ربح:	12dB
تردد:	12GHz
وصف موسع:	RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 12dB M04
وصف:	FET RF 4V 12GHZ M04
التصويت الحالي:	70mA
الحالي - اختبار:	10mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لNE3503M04-T2B-A

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
BLF6G38-10,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975B	تحقيق
PTFA212401E V4 R250	Infineon Technologies	FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2	تحقيق
NE3503M04-A	CEL	FET RF 4V 12GHZ M04	تحقيق
ATF-52189-TR2	Broadcom Limited	FET RF 7V 2GHZ SOT-89	تحقيق
NE3503M04-T2-A	CEL	FET RF 4V 12GHZ M04	تحقيق
PD85035S-E	STMicroelectronics	FET RF 40V 870MHZ	تحقيق
NE3509M04-T2-A	CEL	FET RF 4V 2GHZ SOT-343	تحقيق
NE350184C	CEL	FET RF 4V 20GHZ MICRO-X	تحقيق
NE3508M04-A	CEL	FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM	تحقيق
NE3509M04-A	CEL	FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI	تحقيق
BLC8G27LS-210PVY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513	تحقيق
BF1208D,115	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH DUAL GATE SOD666	تحقيق
NE3508M04-T2-A	CEL	FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM	تحقيق
BLC8G27LS-160AVJ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 14.3DB SOT12751	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار