يشترى NE3508M04-A مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NE3508M04-A
- رقم القطعة:
- NE3508M04-A
- وصف:
- FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14847 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.NE3508M04-A.pdf2.NE3508M04-A.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NE3508M04-A ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NE3508M04-A عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 2V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 4V |
| نوع الترانزستور: | HFET |
| تجار الأجهزة حزمة: | F4TSMM, M04 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 18dBm |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SOT-343F |
| اسماء اخرى: | NE3508M04A |
| الضوضاء الشكل: | 0.45dB |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | NE3508M04-A |
| ربح: | 14dB |
| تردد: | 2GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 2GHz 14dB 18dBm F4TSMM, M04 |
| وصف: | FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM |
| التصويت الحالي: | 120mA |
| الحالي - اختبار: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNE3508M04-A
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
AFT09MS031GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 870MHZ TO270-2G | تحقيق |
 |
NE3508M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM | تحقيق |
|
MRF6V10250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.09GHZ NI780S | تحقيق |
 |
MRF6VP3450HR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230 | تحقيق |
 |
NE350184C | CEL | FET RF 4V 20GHZ MICRO-X | تحقيق |
 |
CGH55030F1 | Cree/Wolfspeed | FET RF 84V 5.8GHZ 440166 | تحقيق |
 |
PTF210101M V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 | تحقيق |
|
NE3509M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ SOT-343 | تحقيق |
 |
BF244C | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 50MA TO92 | تحقيق |
|
MRF8S18210WGHSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.93GHZ NI880XGS | تحقيق |
 |
BLF8G10LS-300PJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B | تحقيق |
|
NE3503M04-T2B-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 | تحقيق |
|
NE3509M04-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI | تحقيق |
|
NE3503M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 | تحقيق |
|
NE3503M04-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 | تحقيق |
 |
MRF5S9070NR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ TO-270-2 | تحقيق |
 |
275-501N16A-00 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL DE275 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog