يشترى NE3508M04-T2-A مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NE3508M04-T2-A
- رقم القطعة:
- NE3508M04-T2-A
- وصف:
- FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17905 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.NE3508M04-T2-A.pdf2.NE3508M04-T2-A.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NE3508M04-T2-A ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NE3508M04-T2-A عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 2V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 4V |
| نوع الترانزستور: | HFET |
| تجار الأجهزة حزمة: | F4TSMM, M04 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 18dBm |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-343F |
| الضوضاء الشكل: | 0.45dB |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | NE3508M04-T2-A |
| ربح: | 14dB |
| تردد: | 2GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 2GHz 14dB 18dBm F4TSMM, M04 |
| وصف: | FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM |
| التصويت الحالي: | 120mA |
| الحالي - اختبار: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNE3508M04-T2-A
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NE3508M04-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM | تحقيق |
 |
2N5484_D27Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 5MA TO92 | تحقيق |
 |
BLF6G38-10,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975B | تحقيق |
 |
NE350184C | CEL | FET RF 4V 20GHZ MICRO-X | تحقيق |
 |
LET9060TR | STMicroelectronics | RF FET LDMOS 80V POWERSO-10RF | تحقيق |
|
NE3503M04-T2B-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 | تحقيق |
 |
PD55003 | STMicroelectronics | FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 | تحقيق |
 |
BLF7G24L-160P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539A | تحقيق |
|
NE3503M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 | تحقيق |
 |
BLP8G27-10Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN | تحقيق |
|
NE3503M04-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 | تحقيق |
|
NE3509M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ SOT-343 | تحقيق |
|
NE3509M04-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI | تحقيق |
 |
BLF6G27-10G,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C | تحقيق |
 |
ON5224,118 | NXP USA Inc. | MOSFET RF SOT426 D2PAK | تحقيق |
 |
275-102N06A-00 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL DE275 | تحقيق |
 |
MRFE8VP8600HR5 | NXP USA Inc. | TRANS RF N-CH 600W 50V | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog