| صورة |
رقم القطعة |
مصنعين |
وصف |
رأي |
 |
VRF157FLMP |
Microsemi Corporation |
RF MOSFET N-CHANNEL 50V 4SMD |
تحقيق |
 |
MMRF1005HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 120V 1.3GHZ NI-780S |
تحقيق |
|
AFT18H357-24NR6 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS |
تحقيق |
|
A2T18H160-24SR3 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS |
تحقيق |
|
ON5449,518 |
NXP USA Inc. |
MOSFET RF 64QFP |
تحقيق |
|
A2T26H160-24SR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.58GHZ |
تحقيق |
 |
BLF6G10LS-135R,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B |
تحقيق |
 |
SD57030-01 |
STMicroelectronics |
FET RF 65V 945MHZ M250 |
تحقيق |
 |
NPT1012B |
M/A-Com Technology Solutions |
HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ |
تحقيق |
 |
BLF879PS,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539B |
تحقيق |
|
BLF8G22LS-140J |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B |
تحقيق |
 |
BLC9G20XS-550AVTZ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 15.4DB SOT12587 |
تحقيق |
 |
PTFA260851E V1 |
Infineon Technologies |
FET RF 65V 2.68GHZ H-30248-2 |
تحقيق |
 |
PD20015C |
STMicroelectronics |
FET RF 40V 2GHZ M243 |
تحقيق |
|
BLF6G10LS-135RN:11 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B |
تحقيق |
 |
VMMK-1225-BLKG |
Broadcom Limited |
FET RF 5V 12GHZ 0402 |
تحقيق |
 |
ARF448BG |
Microsemi Corporation |
RF FET N CH 450V 15A TO247 |
تحقيق |
|
BLF8G22LS-220U |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B |
تحقيق |
 |
NE350184C |
CEL |
FET RF 4V 20GHZ MICRO-X |
تحقيق |
 |
BLF2425M9LS140U |
Ampleon USA Inc. |
TRANS RF 140W LDMOST |
تحقيق |
|
MRF6S19200HSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 66V 1.99GHZ NI780S |
تحقيق |
|
PTFA071701FV4R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
FET RF LDMOS 170W H37248-2 |
تحقيق |
 |
BLF6G27L-50BN,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT1112A |
تحقيق |
 |
MMBF4416A |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 35V 15MA SOT23 |
تحقيق |
 |
BLF6G10L-40BRN,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A |
تحقيق |
|
MRF5P20180HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.99GHZ NI-1230 |
تحقيق |
|
MRF6VP121KHR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI1230H |
تحقيق |
 |
BLF546,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET 2 NC 65V 13DB SOT268A |
تحقيق |
|
PTFA190451FV4XWSA1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 45W H-37265-2 |
تحقيق |
|
AFT18S260W31GSR3 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS |
تحقيق |
 |
PTFA261702E V1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 170W H-30275-4 |
تحقيق |
 |
PD55035STR-E |
STMicroelectronics |
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 |
تحقيق |
|
MRF8S18260HSR6 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230S-8 |
تحقيق |
 |
BLF244,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET NCHA 65V 17DB SOT123A |
تحقيق |
 |
BLF2043F,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 11DB SOT467C |
تحقيق |
 |
MRF8S23120HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.3GHZ NI-780 |
تحقيق |
 |
PTVA104501EHV1R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
|
J310_D75Z |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 60MA TO92 |
تحقيق |
|
MRF7S21170HSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ NI-88OS |
تحقيق |
|
VRF152MP |
Microsemi Corporation |
RF MOSFET N-CHANNEL 50V M174 |
تحقيق |
|
BLF882SU |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 104V 20.6DB SOT502B |
تحقيق |
 |
MRF6S9045NBR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 880MHZ TO-272-2 |
تحقيق |
 |
MRF8HP21080HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780-4 |
تحقيق |
 |
MRF154 |
M/A-Com Technology Solutions |
FET RF 125V 100MHZ 368-03 |
تحقيق |
|
PTFA091201FV4R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2 |
تحقيق |
|
BLC8G27LS-245AVJ |
NXP USA Inc. |
TRANS RF 240W 65V LDMOS SOT1251 |
تحقيق |
 |
PXAC201602FCV1R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS H-37248-4 |
تحقيق |
|
ON5441,518 |
NXP USA Inc. |
MOSFET RF 20SOIC |
تحقيق |
 |
ATF-331M4-TR1 |
Broadcom Limited |
IC PHEMT LOW NOISE 2GHZ MINIPAK |
تحقيق |
 |
BLL6H1214-500,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A |
تحقيق |
