| صورة |
رقم القطعة |
مصنعين |
وصف |
رأي |
 |
BLF6G20-45,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608A |
تحقيق |
 |
PD54008-E |
STMicroelectronics |
FET RF 25V 500MHZ PWRSO10 |
تحقيق |
 |
BLF6G15LS-250PBRN: |
Ampleon USA Inc. |
RF FET 65V 18.5DB SOT1110B |
تحقيق |
 |
SD2933 |
STMicroelectronics |
TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M177 |
تحقيق |
 |
BLF8G20LS-400PGVJ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242C |
تحقيق |
 |
CGHV27015S |
Cree/Wolfspeed |
RF MOSFET HEMT 50V 12VFDFN |
تحقيق |
 |
MMRF1009HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S |
تحقيق |
 |
PTFA080551EV4T500XWSA1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 |
تحقيق |
 |
J309_D74Z |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 30MA TO92 |
تحقيق |
|
MRFE6VP6300GSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 50V 600MHZ NI780-4 |
تحقيق |
 |
CGHV40100P |
Cree/Wolfspeed |
FET RF 125V 4GHZ 440206 |
تحقيق |
 |
ATF-331M4-BLK |
Broadcom Limited |
IC PHEMT LOW NOISE 2GHZ MINIPAK |
تحقيق |
 |
BLP7G07S-140P,118 |
NXP USA Inc. |
TRANSISTOR RF POWER 140W HSOP4F |
تحقيق |
 |
MRF1550FNT1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 40V 175MHZ TO272-6 |
تحقيق |
 |
MMRF1314HR5 |
NXP USA Inc. |
TRANS 1200-1400MHZ 1000W 52V |
تحقيق |
 |
MRFE6S9045GNR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 66V 880MHZ TO-270-2 |
تحقيق |
|
PTVA127002EVV1XWSA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
|
MW6S010GMR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW |
تحقيق |
 |
ON5407,135 |
NXP USA Inc. |
MOSFET RF SOT223 SC-73 |
تحقيق |
 |
CGHV27100F |
Cree/Wolfspeed |
FET RF 50V 2.7GHZ 440162 |
تحقيق |
|
PTFA180701FV4R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
RF MOSFET LDMOS 28V H-37265-2 |
تحقيق |
 |
BLF7G20LS-140P,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B |
تحقيق |
 |
BLF8G10LS-270V,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B |
تحقيق |
 |
UF28100H |
M/A-Com Technology Solutions |
MOSFET 100W 28V 100-500MHZ |
تحقيق |
 |
BLP8G10S-45PY |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 20.8DB SOT12231 |
تحقيق |
|
PTF180101S V1 |
Infineon Technologies |
FET RF 65V 1.99GHZ H-32259-2 |
تحقيق |
|
BF1205C,115 |
NXP USA Inc. |
FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP |
تحقيق |
 |
BLL6H0514L-130,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135A |
تحقيق |
 |
MRFG35010NR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 15V 3.55GHZ |
تحقيق |
 |
NE3509M04-A |
CEL |
FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI |
تحقيق |
 |
CGHV59350F |
Cree/Wolfspeed |
FET RF 125V 5.9GHZ 440217 |
تحقيق |
 |
ATF-531P8-TR2 |
Broadcom Limited |
FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC |
تحقيق |
 |
BLC8G24LS-240AVJ |
NXP USA Inc. |
TRANS RF 240W 65V LDMOS SOT1252 |
تحقيق |
 |
BLF640U |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A |
تحقيق |
 |
BLF7G15LS-200,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B |
تحقيق |
|
BLF10M6LS200U |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B |
تحقيق |
 |
SD2941-10RW |
STMicroelectronics |
IC TRANS RF HF/VHF/UHF M174 |
تحقيق |
|
NE3513M04-T2-A |
CEL |
FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD |
تحقيق |
 |
BF1201R,215 |
NXP USA Inc. |
MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143R |
تحقيق |
|
MMRF1311HR5 |
NXP USA Inc. |
TRANS 470-860MHZ 600W 50V |
تحقيق |
 |
MRF6S18100NBR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 1.99GHZ TO2724 |
تحقيق |
 |
MRF6S23100HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 2.4GHZ NI-780 |
تحقيق |
|
BLF8G27LS-100V,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244B |
تحقيق |
|
NE3503M04-T2-A |
CEL |
FET RF 4V 12GHZ M04 |
تحقيق |
 |
SHF-0189 |
RFMD |
FET RF 9V 1.96GHZ SOT-89 |
تحقيق |
 |
NE4210S01-T1B |
CEL |
HJ-FET 13DB S01 |
تحقيق |
|
BLF4G20S-110B,112 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B |
تحقيق |
|
PTFB201402FCV1R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
|
BF1204,135 |
NXP USA Inc. |
FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP |
تحقيق |
|
MRFG35010R5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF |
تحقيق |
