| صورة |
رقم القطعة |
مصنعين |
وصف |
رأي |
 |
BF1204,115 |
NXP USA Inc. |
FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP |
تحقيق |
 |
PTFA092201FV4XWSA1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 |
تحقيق |
 |
NE3515S02-T1D-A |
CEL |
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 |
تحقيق |
 |
BF245C_D74Z |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 30V 25MA TO92 |
تحقيق |
 |
BLL1214-250,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 75V 12DB SOT502A |
تحقيق |
 |
MMBF4416LT1G |
ON Semiconductor |
JFET N-CH 30V 15MA SOT23 |
تحقيق |
 |
275X2-102N06A-00 |
IXYS |
RF MOSFET 2N-CHANNEL DE275 |
تحقيق |
 |
NE3516S02-A |
CEL |
IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX |
تحقيق |
 |
BLF25M612,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975B |
تحقيق |
 |
CRF24060FE |
Cree/Wolfspeed |
FET RF 120V 1.1GHZ 440193 |
تحقيق |
 |
PTFB092707FHV1R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
 |
VRF150 |
Microsemi Corporation |
MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174 |
تحقيق |
 |
3SK291(TE85L,F) |
Toshiba Semiconductor and Storage |
MOSFET N-CH SMQ |
تحقيق |
 |
MRF5S4125NBR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 465MHZ TO-272-4 |
تحقيق |
 |
J310 |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 60MA TO92 |
تحقيق |
|
MPF102_D27Z |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 20MA TO92 |
تحقيق |
|
PTFA212401F V4 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 |
تحقيق |
 |
BLF8G22LS-270J |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17.7DB SOT502B |
تحقيق |
 |
MRFE6VP61K25HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 |
تحقيق |
 |
BLF8G20LS-160VJ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1239B |
تحقيق |
 |
BLP05H6250XRY |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 |
تحقيق |
|
PTFC262157FHV1R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
 |
PD57030 |
STMicroelectronics |
FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 |
تحقيق |
 |
MRFE6S9046GNR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 66V 960MHZ TO-270-4 |
تحقيق |
 |
SD2932B |
STMicroelectronics |
IC TRANS RF PWR HF/VHF/UHF M244 |
تحقيق |
 |
MRFG35003M6R5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD |
تحقيق |
 |
MRF7S16150HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.66GHZ NI-780 |
تحقيق |
|
MRF9085LSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 880MHZ NI-780S |
تحقيق |
 |
MAGX-001090-700L00 |
M/A-Com Technology Solutions |
TRANSISTOR RF 700W GAN |
تحقيق |
 |
BLF7G15LS-300P,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539B |
تحقيق |
|
BLP7G22-10,135 |
NXP USA Inc. |
TRANSISTOR DRIVER LDMOS 12HVSON |
تحقيق |
 |
MAGX-003135-120L00 |
M/A-Com Technology Solutions |
FET RF 65V 3.5GHZ |
تحقيق |
|
PTFC262808FVV1XWSA1 |
Infineon Technologies |
RF MOSFET TRANSISTORS |
تحقيق |
|
PTFB241402FV1R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
|
MRF9060LSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 945MHZ NI-360S |
تحقيق |
|
BLF6G22-180RN,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A |
تحقيق |
 |
ON5233,118 |
NXP USA Inc. |
MOSFET RF SOT428DPAK |
تحقيق |
|
PTFB082817FHV1R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS H-34288 |
تحقيق |
|
MRF6S9130HSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 880MHZ NI-780S |
تحقيق |
|
MRF6S9060MR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 880MHZ TO-270-2 |
تحقيق |
 |
BLF4G22LS-130,112 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B |
تحقيق |
|
BLF2425M7L140,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A |
تحقيق |
|
MRF18085ALSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.88GHZ NI-780S |
تحقيق |
|
AFT20P140-4WGNR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 1.91GHZ OM780-4GW |
تحقيق |
 |
PTFA210701EV4T500XWSA1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS |
تحقيق |
|
PTFA180701EV4R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
RF MOSFET LDMOS 28V H-36265-2 |
تحقيق |
|
AFT21H350W04GSR6 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.11GHZ |
تحقيق |
|
PTF140451F V1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 45W H-31265 |
تحقيق |
|
PTFA072401FLV5R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
تحقيق |
 |
BF1108R,235 |
NXP USA Inc. |
IC RF SWITCH SOT143R |
تحقيق |
