| صورة |
رقم القطعة |
مصنعين |
وصف |
رأي |
 |
J211 |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 20MA TO92 |
تحقيق |
 |
2N5485_D27Z |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 10MA TO92 |
تحقيق |
 |
BLF0910H6LS500U |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 14.8DB SOT12751 |
تحقيق |
 |
BLC9G20LS-120VZ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT12753 |
تحقيق |
 |
ATF-52189-BLK |
Broadcom Limited |
FET RF 7V 2GHZ SOT89 |
تحقيق |
 |
AFT26H250-24SR6 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI1230S-4 |
تحقيق |
 |
MRF8S21120HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ NI780H |
تحقيق |
 |
BLF6G22-45,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT608A |
تحقيق |
 |
PTFA210701EV4R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2 |
تحقيق |
|
MMRF1006HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230S |
تحقيق |
 |
BLF9G38LS-90PU |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 15DB SOT1121B |
تحقيق |
 |
BLP05H675XRY |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 |
تحقيق |
 |
BLF6G15L-40BRN,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 22DB SOT1112A |
تحقيق |
 |
ATF-35143-TR2G |
Broadcom Limited |
FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343 |
تحقيق |
|
MRF7S21150HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 |
تحقيق |
 |
BLS6G3135S-120,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502B |
تحقيق |
 |
LET20030C |
STMicroelectronics |
FET RF 80V 2GHZ M243 |
تحقيق |
 |
SD3932 |
STMicroelectronics |
IC TRANS RF PWR HF/VHF/UHF M244 |
تحقيق |
|
AFT09S200W02GNR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 70V 960MHZ PLD |
تحقيق |
 |
BLF6G21-10G,135 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A |
تحقيق |
|
MRFE6P9220HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 66V 880MHZ NI-860C3 |
تحقيق |
|
BLF7G22LS-130,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B |
تحقيق |
|
BLC8G27LS-180AVY |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12753 |
تحقيق |
|
MRF6S19100HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 1.99GHZ NI-780 |
تحقيق |
|
MRF7S27130HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.7GHZ NI-780S |
تحقيق |
 |
BLF6G15L-40BRN,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 22DB SOT1112A |
تحقيق |
|
MRF377HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 860MHZ NI-860C |
تحقيق |
 |
NPT1010B |
M/A-Com Technology Solutions |
HEMT N-CH 28V 100W DC-2000MHZ |
تحقيق |
|
BLC9G22XS-400AVTZ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 15.3DB SOT12587 |
تحقيق |
 |
PTFA210701FV4R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2 |
تحقيق |
 |
BLA6H0912LS-1000U |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539B |
تحقيق |
|
BLA1011-2,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 75V 16DB SOT538A |
تحقيق |
 |
MRF5S19150HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.99GHZ NI-880 |
تحقيق |
 |
MRF7P20040HSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780HS-4 |
تحقيق |
|
BF908WR,115 |
NXP USA Inc. |
MOSFET NCH DUAL GATE 12V CMPAK-4 |
تحقيق |
 |
BLF4G10LS-160,112 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 894.2MHZ SOT502B |
تحقيق |
 |
BLF7G20L-200,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A |
تحقيق |
 |
AFV141KHR5 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS |
تحقيق |
|
AFT18S260W31SR3 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS |
تحقيق |
|
BLF7G22L-130,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A |
تحقيق |
 |
BLF7G20L-250P,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539A |
تحقيق |
 |
BLF8G24LS-150GVQ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C |
تحقيق |
 |
BLL6H0514LS-130,11 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135B |
تحقيق |
 |
VRF154FL |
Microsemi Corporation |
MOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2 |
تحقيق |
 |
MRF140 |
M/A-Com Technology Solutions |
FET RF 65V 150MHZ 211-11 |
تحقيق |
|
BF244C_J35Z |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 30V 50MA TO92 |
تحقيق |
|
J211_D27Z |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 20MA TO92 |
تحقيق |
 |
CE3520K3-C1 |
CEL |
RF FET 4V 20GHZ 4MICROX |
تحقيق |
|
PTFA082201FV4XWSA1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 |
تحقيق |
 |
BLF8G24LS-100VU |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B |
تحقيق |
