| صورة |
رقم القطعة |
مصنعين |
وصف |
رأي |
 |
ON5200,118 |
NXP USA Inc. |
MOSFET RF SOT426 D2PAK |
تحقيق |
 |
BLS7G3135LS-350P,1 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539B |
تحقيق |
 |
BF904AR,215 |
NXP USA Inc. |
MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143 |
تحقيق |
 |
BLF10M6160U |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A |
تحقيق |
 |
IXZR18N50B-00 |
IXYS |
RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 |
تحقيق |
 |
BLF6G27LS-135,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B |
تحقيق |
 |
BF245A,112 |
NXP USA Inc. |
JFET N-CH 30V 6.5MA TO92 |
تحقيق |
 |
MMRF2004NBR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.7GHZ TO-272 |
تحقيق |
 |
BLF8G09LS-400PWU |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B |
تحقيق |
|
BF1108,215 |
NXP USA Inc. |
IC RF SWITCH SOT143B |
تحقيق |
 |
MMRF1015GNR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 960MHZ |
تحقيق |
 |
PTFA091503ELV4R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 150W PG-33288-6 |
تحقيق |
 |
MMRF1015NR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 960MHZ TO270 |
تحقيق |
 |
BLF7G21LS-160P,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121B |
تحقيق |
|
MRF6V12500HSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 110V 1.03GHZ NI780HS |
تحقيق |
 |
MRF1511NT1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 40V 175MHZ PLD-1.5 |
تحقيق |
 |
ATF-53189-BLK |
Broadcom Limited |
IC PHEMT 2GHZ 4V 135MA SOT-89 |
تحقيق |
|
PTFA092213ELV4R250XTMA2 |
Infineon Technologies |
IC RF FET LDMOS H-33288-6 |
تحقيق |
|
BLF8G20LS-260A,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 15.9DB SOT539B |
تحقيق |
|
PTFB093608FVV2R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
|
BLF2425M7L140,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A |
تحقيق |
|
BF1109R,215 |
NXP USA Inc. |
MOSFET 2N-CH 11V 30MA SOT143R |
تحقيق |
 |
AFT09MP055GNR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270 |
تحقيق |
|
BLF6G38LS-100,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 13DB SOT502B |
تحقيق |
 |
PTVA030121EAV1R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS H-36265-2 |
تحقيق |
|
MRF9210R5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 880MHZ 860C3 |
تحقيق |
|
PTFA041501EV4R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
RF MOSFET LDMOS 28V H-36248-2 |
تحقيق |
|
BLF6G38LS-50,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 14DB SOT502B |
تحقيق |
 |
BLF6G20-40,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.8DB SOT608A |
تحقيق |
 |
BLC8G24LS-240AVU |
NXP USA Inc. |
TRANS RF 240W 65V LDMOS SOT1252 |
تحقيق |
|
PXAC260622SCV1R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
 |
PTFA071701FV4XWSA1 |
Infineon Technologies |
FET RF LDMOS 170W H37248-2 |
تحقيق |
 |
BLF8G22LS-160BVX |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B |
تحقيق |
 |
MRF6S19200HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 66V 1.99GHZ NI780 |
تحقيق |
 |
2SK3074TE12LF |
Toshiba Semiconductor and Storage |
MOSF RF N CH 30V 1A PW-MINI |
تحقيق |
 |
PTF140451E V1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 45W H-30265 |
تحقيق |
 |
BLF6G27S-45,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608B |
تحقيق |
 |
MRF6P18190HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 1.88GHZ NI-1230 |
تحقيق |
 |
BLF8G22LS-200V,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B |
تحقيق |
 |
BLC8G27LS-160AVU |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 14.3DB SOT12751 |
تحقيق |
 |
VRF151 |
Microsemi Corporation |
MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174 |
تحقيق |
|
BLF8G24LS-150VU |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B |
تحقيق |
 |
MMRF1006HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230 |
تحقيق |
 |
PD55008TR-E |
STMicroelectronics |
TRANSISTOR RF POWERSO-10 |
تحقيق |
|
MRFG35010AR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF |
تحقيق |
 |
BLF6G15L-250PBRN,1 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1110A |
تحقيق |
|
BLF6G27LS-50BN,112 |
NXP USA Inc. |
TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B |
تحقيق |
 |
BG 5130R E6327 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363 |
تحقيق |
 |
CLF1G0035-50,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET HEMT 150V 11.5DB SOT467C |
تحقيق |
 |
MRF8P23080HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI780-4 |
تحقيق |
