| صورة |
رقم القطعة |
مصنعين |
وصف |
رأي |
 |
CLF1G0035-200PU |
Ampleon USA Inc. |
RF FET 50V 11DB SOT1228A |
تحقيق |
 |
BLF571,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 110V 27.5DB SOT467C |
تحقيق |
 |
MRF5S21130HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 |
تحقيق |
 |
PTFA192001EV4XWSA1 |
Infineon Technologies |
FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2 |
تحقيق |
 |
BF1108R,215 |
NXP USA Inc. |
IC RF SWITCH SOT-143R |
تحقيق |
 |
2729GN-270 |
Microsemi Corporation |
FET RF N-CH 150V 2.9GHZ 55-QP |
تحقيق |
 |
MRFE6VP5150GNR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270 GW |
تحقيق |
 |
BLF8G22LS-270U |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17.7DB SOT502B |
تحقيق |
 |
3SK294(TE85L,F) |
Toshiba Semiconductor and Storage |
FET RF 12.5V 500MHZ USQ |
تحقيق |
|
PTFA240451E V1 R250 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 |
تحقيق |
 |
LET9070CB |
STMicroelectronics |
MOSF RF N CH 80V 12A M243 |
تحقيق |
 |
MRF6V12500HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H |
تحقيق |
 |
MRF6S9130HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 880MHZ NI-780S |
تحقيق |
 |
BLF7G22L-250P,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539A |
تحقيق |
 |
PTFA092211FLV4R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS |
تحقيق |
|
MRF9045LSR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 945MHZ NI-360S |
تحقيق |
 |
PN4416 |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 30V TO92 |
تحقيق |
|
MRF8S21140HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.14GHZ NI780S |
تحقيق |
 |
CGHV1F025S |
Cree/Wolfspeed |
FET RF 100V 6GHZ 12DFN |
تحقيق |
 |
BF245A,126 |
NXP USA Inc. |
JFET N-CH 30V 6.5MA TO92 |
تحقيق |
 |
MRFE6VP8600HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 130V 860MHZ NI-1230 |
تحقيق |
 |
BLF8G24LS-200P,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B |
تحقيق |
 |
NPT2010 |
M/A-Com Technology Solutions |
HEMT N-CH 48V 100W DC-2.2GHZ |
تحقيق |
|
AFT09H310-04GSR6 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 70V 920MHZ NI1230-4GS |
تحقيق |
 |
MAGX-000245-014000 |
M/A-Com Technology Solutions |
TRANSISTOR RF 14W GAN |
تحقيق |
|
MRF6S24140HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 2.39GHZ NI-880S |
تحقيق |
|
MRF7S35015HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 3.5GHZ NI-400S-240 |
تحقيق |
 |
MMRF1314HSR5 |
NXP USA Inc. |
TRANS RF FET 1.4GHZ 1000W 52V |
تحقيق |
 |
2N5486_D26Z |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 20MA TO92 |
تحقيق |
 |
IXZ318N50 |
IXYS |
RF MOSFET N-CHANNEL |
تحقيق |
|
PTFA210701FV4FWSA1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2 |
تحقيق |
 |
BLF7G27LS-90P,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1121B |
تحقيق |
 |
NE5531079A-A |
CEL |
FET RF 30V 460MHZ 79A |
تحقيق |
 |
MRF157 |
M/A-Com Technology Solutions |
FET RF 125V 80MHZ 368-03 1=1PC |
تحقيق |
 |
MMBFJ310LT3G |
ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 60MA SOT23 |
تحقيق |
 |
BLF8G10L-160,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A |
تحقيق |
 |
PTFA091201EV4R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
RF MOSFET LDMOS 28V H-36248-2 |
تحقيق |
 |
NPT1004D |
M/A-Com Technology Solutions |
HEMT N-CH 28V 45W DC-4GHZ 8SOIC |
تحقيق |
 |
LET9180 |
STMicroelectronics |
IC RF TRANSISTOR LDMOS M246 |
تحقيق |
 |
BLP05H675XRGY |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242 |
تحقيق |
|
MRF8S18210WGHSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.93GHZ NI880XGS |
تحقيق |
|
PTFA041501GL V1 R250 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 150W PG-63248-2 |
تحقيق |
 |
PD57030S-E |
STMicroelectronics |
FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 |
تحقيق |
 |
NPTB00004A |
M/A-Com Technology Solutions |
HEMT N-CH 28V 5W DC-6GHZ 8SOIC |
تحقيق |
|
PTFA092201FV4R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 |
تحقيق |
|
MRF6V13250HSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 120V 1.3GHZ NI780S |
تحقيق |
 |
BLF7G21L-160P,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A |
تحقيق |
|
BLF578XR,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539A |
تحقيق |
 |
ATF-55143-TR2G |
Broadcom Limited |
FET RF 5V 2GHZ SOT-343 |
تحقيق |
|
MRF7S38040HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 3.6GHZ NI-400S |
تحقيق |
