| صورة |
رقم القطعة |
مصنعين |
وصف |
رأي |
 |
MMBF4416 |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 30V 15MA SOT23 |
تحقيق |
 |
BF1107,235 |
NXP USA Inc. |
MOSFET N-CH 3V 10MA SOT23 |
تحقيق |
 |
A2T20H330W24SR6 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS |
تحقيق |
|
2N3819 |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 50MA TO92 |
تحقيق |
|
MRFE6S9205HSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 66V 880MHZ NI-880S |
تحقيق |
 |
BLF6G27-10G,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C |
تحقيق |
 |
NE3515S02-A |
CEL |
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 |
تحقيق |
 |
ARF449BG |
Microsemi Corporation |
RF PWR MOSFET 450V TO-247 |
تحقيق |
 |
PTFA082201E V1 |
Infineon Technologies |
FET RF 65V 894MHZ H-36260-2 |
تحقيق |
 |
MRF8P23080HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI780S-4 |
تحقيق |
 |
ATF-541M4-BLK |
Broadcom Limited |
IC ENHANCED MOD SUDIOMORPHIC HEM |
تحقيق |
 |
MRF8S21200HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI1230H |
تحقيق |
 |
MRF6S9160HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 880MHZ NI-780 |
تحقيق |
|
MRF7S18125AHSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.88GHZ NI780S |
تحقيق |
 |
MRF1570FNT1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 40V 470MHZ TO272-8 |
تحقيق |
 |
BLF8G24LS-200PNU |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B |
تحقيق |
 |
NPT2021 |
M/A-Com Technology Solutions |
HEMT N-CH 48V 50W DC-2.2GHZ |
تحقيق |
 |
ON5213,118 |
NXP USA Inc. |
MOSFET RF SOT426 D2PAK |
تحقيق |
 |
MAGX-001214-650L00 |
M/A-Com Technology Solutions |
TRANSISTOR GAN 650W 1.2-1.4GHZ |
تحقيق |
 |
BLF8G24L-200P,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539A |
تحقيق |
 |
ATF-55143-TR1 |
Broadcom Limited |
FET RF 5V 2GHZ SOT-343 |
تحقيق |
 |
BLF6G38-25,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 15DB SOT608A |
تحقيق |
 |
BLA8G1011LS-300GU |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502E |
تحقيق |
|
MRF5S19090HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 |
تحقيق |
 |
PTFB181702FCV1R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
|
MRF21085LSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S |
تحقيق |
 |
BF991,215 |
NXP USA Inc. |
MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B |
تحقيق |
 |
BLF2425M8LS140J |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B |
تحقيق |
|
BF1005E6327HTSA1 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143 |
تحقيق |
|
BF904WR,115 |
NXP USA Inc. |
MOSFET N-CH 7V 30MA SOT343 |
تحقيق |
 |
LET9150 |
STMicroelectronics |
MOSFET N-CH 80V 20A M-246 |
تحقيق |
 |
PTF210101M V1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 |
تحقيق |
|
MRF5S19090HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 |
تحقيق |
 |
MRF5S19130HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.99GHZ NI-880 |
تحقيق |
|
PTFB212503ELV1R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS H-33288-6 |
تحقيق |
 |
BLL6G1214L-250,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 89V 15DB SOT502A |
تحقيق |
 |
ARF466AG |
Microsemi Corporation |
RF FET N CH 1000V 13A TO264 |
تحقيق |
 |
BLF6G15LS-40RN,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT1135B |
تحقيق |
|
PTFA212001EV4R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2 |
تحقيق |
|
PTFB211503ELV1R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS H-33288-6 |
تحقيق |
 |
MRF6VP3091NBR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 115V 860MHZ TO272-4 |
تحقيق |
|
MRFE6S9125NBR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 66V 880MHZ TO-272-4 |
تحقيق |
 |
PTFA192001F V4 R250 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 |
تحقيق |
|
BF556A,215 |
NXP USA Inc. |
JFET N-CH 30V 7MA SOT23 |
تحقيق |
 |
PTVA123501FCV1R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
 |
ARF463AP1G |
Microsemi Corporation |
RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247 |
تحقيق |
|
PTFA181001HL V1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 100W PG-64248-2 |
تحقيق |
|
PTFB091507FHV1R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS H-34288-4 |
تحقيق |
 |
PTVA123501ECV2R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS H-36248-2 |
تحقيق |
 |
BG5412KH6327XTSA1 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 |
تحقيق |
