| صورة |
رقم القطعة |
مصنعين |
وصف |
رأي |
 |
BLF184XRU |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214A |
تحقيق |
 |
BLF6G22LS-130,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B |
تحقيق |
 |
BLF7G24LS-160P,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539B |
تحقيق |
 |
BLA1011-10,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 75V 15DB SOT467C |
تحقيق |
 |
MRF6VP41KHR6 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 110V 450MHZ NI1230 |
تحقيق |
 |
2729GN-150 |
Microsemi Corporation |
FET RF N-CH 150V 2.9GHZ 55-QP |
تحقيق |
 |
MRF8P18265HR6 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230-8 |
تحقيق |
|
MMRF1017NR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 960MHZ |
تحقيق |
|
ARF1505 |
Microsemi Corporation |
RF PWR MOSFET 300V 25A DIE |
تحقيق |
 |
NE3508M04-T2-A |
CEL |
FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM |
تحقيق |
 |
BLF6G22S-45,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT608B |
تحقيق |
 |
CGH27030S |
Cree/Wolfspeed |
RF MOSFET HEMT 28V 12VFDFN |
تحقيق |
|
MRF7S19210HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.99GHZ NI780S |
تحقيق |
 |
CGHV59070F |
Cree/Wolfspeed |
RF MOSFET HEMT 50V 440224 |
تحقيق |
 |
BLF246B,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET 2 NC 65V 19DB SOT161A |
تحقيق |
 |
AFT05MS003NT1 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS |
تحقيق |
 |
LET9045 |
STMicroelectronics |
TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A |
تحقيق |
 |
MRFE6S8046GNR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 66V 894MHZ TO-270-4 |
تحقيق |
|
BLF7G27LS-100,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B |
تحقيق |
 |
MD7P19130HSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI780HS-4 |
تحقيق |
|
BLF2425M7LS100J |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B |
تحقيق |
 |
AFT05MP075NR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 40V 520MHZ TO270-4 |
تحقيق |
 |
LET9060TR |
STMicroelectronics |
RF FET LDMOS 80V POWERSO-10RF |
تحقيق |
 |
SD2931 |
STMicroelectronics |
IC TRANS RF PWR HF/VHF/UHF M244 |
تحقيق |
|
MRF7S21170HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S |
تحقيق |
|
AFT21S240-12SR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ NI780S-2 |
تحقيق |
 |
PD84010TR-E |
STMicroelectronics |
FET RF 40V 870MHZ 10PWRSOIC |
تحقيق |
 |
ON5262,127 |
NXP USA Inc. |
MOSFET RF TO220AB TO220AB |
تحقيق |
 |
BF998R,235 |
NXP USA Inc. |
MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143 |
تحقيق |
 |
MRF1513NT1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5 |
تحقيق |
 |
BLC8G27LS-240AVU |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12521 |
تحقيق |
|
MRF6P9220HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 880MHZ NI-860C3 |
تحقيق |
 |
PTFB072707FHV1R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS H-34288G-4 |
تحقيق |
 |
CGHV1J006D |
Cree/Wolfspeed |
RF MOSFET HEMT 40V DIE |
تحقيق |
 |
BLS6G2933S-130,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 60V 12.5DB SOT9221 |
تحقيق |
|
MRF8S7235NR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 70V 728MHZ OM780-2 |
تحقيق |
 |
BLL1214-250R,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502A |
تحقيق |
|
MRFE6S8046NR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 66V 894MHZ TO-270-4 |
تحقيق |
 |
SD57030 |
STMicroelectronics |
FET RF 65V 945MHZ M243 |
تحقيق |
|
MRF8S9260HSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 70V 960MHZ NI-880HS |
تحقيق |
 |
BF861B,215 |
NXP USA Inc. |
JFET N-CH 25V 15MA SOT23 |
تحقيق |
 |
CLF1G0035S-200PU |
Ampleon USA Inc. |
RF FET 50V 11DB SOT1228B |
تحقيق |
 |
BLF8G22L-160BV,118 |
NXP USA Inc. |
TRANSISTOR CDFM6 |
تحقيق |
|
PTFB183404FV2R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS H-37275-6 |
تحقيق |
|
MRF6S19120HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 1.99GHZ NI-780S |
تحقيق |
 |
MAGX-000035-015000 |
M/A-Com Technology Solutions |
TRANSISTOR GAN 3.5GHZ 15W |
تحقيق |
 |
MRF7S21110HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 |
تحقيق |
 |
PTFA092201EV4R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
FET RF 65V 960MHZ H-36260-2 |
تحقيق |
 |
BF 5020R E6327 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143-4 |
تحقيق |
 |
BLC8G20LS-400AVY |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12583 |
تحقيق |
