| صورة |
رقم القطعة |
مصنعين |
وصف |
رأي |
 |
BLF2425M8L140J |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A |
تحقيق |
 |
PTVA120501EAV1R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS H-36265-2 |
تحقيق |
 |
BLF644PU |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 23.5DB SOT1228A |
تحقيق |
 |
MRF6S21050LSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 2.16GHZ NI-400S |
تحقيق |
 |
PTFA091201GL V1 R250 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2 |
تحقيق |
 |
CGH60030D |
Cree/Wolfspeed |
RF MOSFET HEMT 28V DIE |
تحقيق |
 |
MRFE6VP5300GNR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270 GW |
تحقيق |
 |
BLF7G22LS-160,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B |
تحقيق |
 |
MRF9080LR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 960MHZ NI-780 |
تحقيق |
 |
IXZ210N50L2 |
IXYS |
RF MOSFET N-CHANNEL DE275 |
تحقيق |
 |
IXZR18N50 |
IXYS |
RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 |
تحقيق |
 |
MRF6VP41KHR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 110V 450MHZ NI1230 |
تحقيق |
 |
MRFG35003NT1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD |
تحقيق |
 |
NPT2019 |
M/A-Com Technology Solutions |
FET RF 160V 6GHZ 14DFN |
تحقيق |
|
MRFG35005NR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5 |
تحقيق |
|
BLS6G2731-120,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502A |
تحقيق |
 |
BF1100R,215 |
NXP USA Inc. |
MOSFET N-CH 14V 30MA SOT143 |
تحقيق |
 |
BLP35M805Z |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN |
تحقيق |
 |
RFM01U7P(TE12L,F) |
Toshiba Semiconductor and Storage |
MOSFET N-CH PW-MINI |
تحقيق |
 |
BLM8G0710S-45ABY |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112 |
تحقيق |
|
AFT26H050W26SR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4 |
تحقيق |
|
MRF6S19140HSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 1.99GHZ NI-880S |
تحقيق |
 |
BLF2425M9L30U |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1135A |
تحقيق |
 |
MMRF1310HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI780 |
تحقيق |
 |
BLF6G27S-45,135 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608B |
تحقيق |
|
A2T18S160W31GSR3 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS |
تحقيق |
|
MRF8P20165WHR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780-4 |
تحقيق |
|
A2T26H165-24SR3 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS |
تحقيق |
|
MRF8S9220HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 70V 960MHZ NI780H |
تحقيق |
 |
NE3503M04-A |
CEL |
FET RF 4V 12GHZ M04 |
تحقيق |
 |
SD4933 |
STMicroelectronics |
TRANSISTOR RF MOSFET N-CH M177 |
تحقيق |
 |
MRF6S19060NR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 1.93GHZ TO270-4 |
تحقيق |
 |
BF2030WH6824XTMA1 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 8V 40MA SOT343 |
تحقيق |
|
ON5447,518 |
NXP USA Inc. |
MOSFET RF 64QFP |
تحقيق |
 |
PXAC261212FCV1R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
 |
BLF6G20S-45,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608B |
تحقيق |
|
BF908R,235 |
NXP USA Inc. |
MOSFET DUAL GATE 12V 40MA SOT143 |
تحقيق |
|
MRF6S21100MR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 2.16GHZ TO270-4 |
تحقيق |
 |
MW6S010GNR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW |
تحقيق |
|
BLF7G27L-100,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A |
تحقيق |
 |
PD85025C |
STMicroelectronics |
FET RF 40V 945MHZ M243 |
تحقيق |
 |
BLF8G10LS-270GVJ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C |
تحقيق |
 |
AFT09MS031NR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 40V 870MHZ TO-270-2 |
تحقيق |
 |
MRF6S21100NBR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 2.16GHZ TO272-4 |
تحقيق |
|
MRF8S26060HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.69GHZ |
تحقيق |
 |
2N5246 |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 30V 7MA TO92 |
تحقيق |
 |
BLF2425M7L250P,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539A |
تحقيق |
 |
PD85025S-E |
STMicroelectronics |
FET RF 40V 870MHZ |
تحقيق |
 |
BLF8G20LS-140GVQ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B |
تحقيق |
|
BLF7G22L-200,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A |
تحقيق |
